SGL25N120RUFDTU中文资料
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- 厂家：Fairchild Semiconductor
- 描述：
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 产品种类：IGBT 晶体管
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
- 集电极—射极饱和电压：2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：+/- 25 V
- 在25 C的连续集电极电流：40 A
- 栅极—射极漏泄电流：100 uA
- 功率耗散：270 W
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：TO-264-3
- 封装：Tube
- 集电极最大连续电流 Ic：40 A
- 最小工作温度：- 55 C
- 安装风格：Through Hole
- 工厂包装数量：25
SGL25N120RUFDTU供应商
更新时间:2023-01-04 00:56:47- 供应商
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